ROM, RAM, SRAM, DRAM, EPROM, EEPROM, Flash, NOR Flash, NAND Flash关系

RAMSRAM(原理不同)静态, not 动态
DRAM(成本, 集成度, 功耗更优)->SDRAM(其中一种)->第一代SDR SDRAM
第二代DDR SDRAM
第三代DDR2 SDRAM
第四代 DDR3 SDRAM
ROMROM在工厂里用特殊的方法被烧录进去
PROM用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次
EPROM写入要用专用的编程器, 操作不便
EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程
Flash(已经渐渐取代传统EPROM/EEPROM的地位, 所以也叫 Flash ROM)
NOR Flash芯片内执行(XIP, eXecute In Place), 不必再把代码读到系统RAM中, 
直接在flash闪存内运行
传输效率很高, 
1～4MB的小容量成本效益
很低的写入和擦除速度
1～16MB闪存市场的大部分
NAND Flash高存储密度, 写入和擦除的速度也很快
困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
8～128MB的产品中


存储分为RAM(掉电后消失)和ROM(掉电后不消失)


RAM可以分为SRAM(静态存储器)和DRAM(动态存储器), 原理不一样, 然后DRAM成本, 集成度, 功耗更优.


SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory, 是DRAM的一种
第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM
NVRAM可以随机访问。因此有些解释中，说Flash是属于NVRAM，是不准确的。因为从严格意义上来说，Flash分有两种：nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的，而nand flash不是真正的随机访问，属于顺序访问（serial access）。
ROM（Read Only Memory，只读存储器）在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改
  PROM, 最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次
 EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）, 写入要用专用的编程器, 操作不便
 EEPROM (Electrically Erasable Programmable?Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。擦除不需要借助于其它设备, 而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚. 至今仍有不少主板采用EEPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。


NOR Flash 和 NAND Flash
Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术, 彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构.
Nor: 芯片内执行(XIP, eXecute In Place), 不必再把代码读到系统RAM中, 直接在flash闪存内运行
传输效率很高, 
1～4MB的小容量成本效益
很低的写入和擦除速度
1～16MB闪存市场的大部分
Nand: 高存储密度, 写入和擦除的速度也很快
困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
8～128MB的产品中