s3c2440操作norflash EN29LV160AB

     norflash 兼具dram和nandflash优点： 掉电数据不丢失，可以随机 读，也就是说可以直接执行程序。但有个缺点就是造价比较高，一般只是小容量使用。

以前用mini2440板子用的是SST39VF1601，具体操作过程可见前面博文。这里是EN29LV160AB，跟之前的略有不同。

     对norflash的操作主要就是读、写、擦除和识别等。EN29LV160AB的数据宽度可以是8位字节型，也可以是16位的字型，它由EN29LV160AB的某一引脚配置实现的。

在这里我们选择字型。

   对norflash的读操作比较简单，系统上电后会自动进入读模式，而且也不需要额外的命令来实现读操作，就像访问dram一样cpu直接发出读指令 就可以了。下面的函数实现了读操作：

U16 read_en29lv160ab(U32 addr){return *((volatile U16 *)(addr));}

       norflash不仅能够实现硬件复位，而且可以实现软件复位。软件复位的操作是向任一地址写入复位命令0xF0。下面的函数实现了软件复位：

void reset_en29lv160ab(void){*((volatile U16 *)0x0) = 0xf0;}

       norflash的擦除操作和写操作要稍微复杂一些，它们需要4个或6个周期来完成，每一个周期都要把相应的命令写入norflash中的某一命令寄存器中。写操作的过程为第一

个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，第二个周期是把命令0x55写入地址为0x2AA命令寄存器中，第三个周期是把命令0xA0再写入地址为0x555命令寄存

器中，第四个周期为真正地把要写入的数据写入到norflash的地址中。下面的函数实现了写操作，其中该函数的两个输入参数分别为要写入的数据和地址，为了方便，我们事

先定义好命令寄存器：

#define    flash_base              0x00000000#define    CMD_ADDR0              *((volatile U16 *)((0x555<<1)+flash_base))#define    CMD_ADDR1              *((volatile U16 *)((0x2aa<<1)+flash_base))

U8 en29lv160ab_program(U32 addr, U16 dat){CMD_ADDR0 = 0xaa;CMD_ADDR1 = 0x55;CMD_ADDR0 = 0xa0;*((volatile U16 *)(addr)) = dat;return check_toggle();}

   由于我们是把 norflash 连接到了  s3c2440  的bank 0上，因此norflash中的地址相对于s3c2440来说基址为0x00000000。而之所以又把norflash中的地址向左移一位（即乘

以2），是因为我们是把 s3c2440 的  ADDR1  连接到了 norflash 的A0上的缘故。

    在该函数中，我们还调用了check_toggle函数，它的作用是用于判断这次操作是否正确，它的原型为：

U8 check_toggle(void){volatile U16 newtoggle,oldtoggle;oldtoggle = *((volatile U16 *)0x0);while(1){    newtoggle = *((volatile U16 *)0x0);if((oldtoggle & 0x40)==(newtoggle & 0x40))break;if(newtoggle & 0x20)           //DQ5{oldtoggle = *((volatile U16 *)0x0);newtoggle = *((volatile U16 *)0x0);if((oldtoggle & 0x40)==(newtoggle & 0x40))break;elsereturn 0;         //错误}    oldtoggle = newtoggle;}return 1;         //正确}

     它的原理是连续两次读取数据总线上的数据，判断数据总线上的第6位数值（DQ6）是否翻转，如果没有翻转则正确，否则还要判断第5位（DQ5），以确定是否是因为超时而引起的翻转。

     norflash也需要擦除操作，写操作只能使“1”变为“0”，而只有擦除才能使“0”变为“1”---这点与nandflash一致。因此在写之前一定要先擦除。擦除分为块擦除和整片擦除。块擦

除的过程为第一个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，第二个周期是把命令0x55写入地址为0x2AA命令寄存器中，第三个周期是把命令0x80再写入地址为0x555命令寄存器中，第四个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，第五个周期是把命令0x55再写入地址为0x2AA命令寄存器中，第六个周期是把命令0x30

写入要擦除块的首地址内。

    注意因为这里选择字型，所以上图的命令序列应该选择word一栏。

下面的函数为块擦除，其中输入参数为要擦除块的首地址：

U8 en29lv160ab_sector_erase(U32 section_addr){CMD_ADDR0 = 0xaa;CMD_ADDR1 = 0x55;CMD_ADDR0 = 0x80;CMD_ADDR0 = 0xaa;CMD_ADDR1 = 0x55;*((volatile U16 *)(section_addr)) = 0x30;return check_toggle();}

  下面链接给出一个我调试通过的例子，实现 norflash的 擦除，写，读操作。注意当操作norflash的时候 一定要选择开发板从norflash启动。由于这个比较特殊所以开始的汇编

代码设置 栈的时候一定 要选择合适的，刚开始还是设置成适用于nandflash 的4K位置

ldr     sp, =1024*4         @ stack pointer point to 4K

显然从norflash启动的时候 4K还映射着norflash ，是无法作为栈使用的，当然程序错误了，憋了很久才找到远因。

由于这个比较特殊，所以就没有把这些代码集成到norflash里面，直接是一个独立的裸机程序。

https://www.dropbox.com/sh/4ljok09eyqb5ke6/AAC4pzHtEUCYQjSlyLr8Jt6ka?dl=0