MINI2440 从NAND FLASH启动时的代码复制理解心得

有错误请指出。

1.首先，S3C2440存储控制器的地址空间分布图：

 

理解错误的地方：NANDFLASH在图中对应的地址是多少？

              NANDFLASH理解为硬盘，该图为存储控制器地址空间分布，用于连接外设的共1GB的地址空间。
摘自书本原话：

   S3C2440对外引出的27根地址线ADDR0--ADDR26的访问范围为128MB，那么如何达到上面所说的1GB的访问空间呢？-----CPU还对外引出了8根片选信号线nGCS0-nGCS7,对应BANK0-BANK7,当访问BANKx的地址空间时，nGCSx引脚输出低电平用来选中外接的设备。这样可对应128MB* 8 = 1GB的地址空间。

   图：【没有看到NANDFLASH】

2.从NANDFLASH中启动时（理解为从硬盘启动），CPU会通过内部的硬件将NANDFLASH开始的4KB数据复制到称为Steppingstone的4KB的内部 RAM中（上图中起始地址0，SRAM），然后跳转到地址0开始执行。【这是硬件自动完成的第一个复制，下面第二个复制要软件代码完成】

本实例（存储控制器操作实例：使用SDRAM）先使用汇编语言设置好存储控制器，使外接的SDRAM可用；然后把程序本身从Steppingstone复制到SDRAM中（后面解释为什么要复制）；最后跳转到SDRAM中执行。【SRAM（性能好）--copy-->SDRAM】

图：执行过程：【注意PC的变化！！！！】

生成执行文件下载到板子上运行后，可以发现与原LEDS程序（没有第二部分的复制过程，在steppingstone中执行）相比，LED闪烁得更慢，原因是外部SDRAM的性能比内部RAM（SRAM）差一点。

    把程序从性能更好的内部RAM移到外部SDRAM中去执行，是否是多此一举呢？----内部RAM只有4KB，如果程序大于4KB，那么就不能指望完全利用内部SRAM来运行了，得想办法把存储在NAND FLASH【硬盘，烧写到NANDFLASH中】中的代码复制到外部SRAM中去。对于NANDFLASH中的前4KB，芯片自动把它复制到内部SRAM中，可以很轻松地再把它复制到外部SRAM中，要复制4KB之后的代码就需要使用NAND FLASH 控制器来读取NAND FLASH了，详见NAND FLASH 控制器部分内容！

 

   因此，综合所述，程序代码烧写到NANDFLASH【硬盘】 中后，从NAND FLASH 启动时，芯片会自动将NANDFLASH中前4KB的代码复制到内部RAM中【对应上图地址空间分布图地址0X00000000】，然后再运行里面的程序（从0地址处），这种情况下我们需要保证将启动代码保存在NandFlash开始的位置，并且启动代码的大小要小于4K。

   如果系统的所有程序在编译链接后的大小小于4K，那在系统的启动代码中无需考虑将程序从NandFlash搬运到SDRAM这个问题，因为所有的程序在启动时即全部由NandFlash拷贝至SRAM【自动完成】，程序在SRAM中运行即可；

   如果系统的所有程序在编译连接后的大小大于4K，那么在系统的启动代码中需要包含一段将系统的全部程序从NandFlash搬运到外部SDRAM的代码，因为系统启动时只将Nand Flash的前4K拷贝到了SRAM中，还有部分程序保存在NandFlash中，NandFlash中是无法运行程序的，需要将所有程序拷贝至SDRAM并在其中运行，所以在系统的启动代码中要包含这段有关程序拷贝的代码，并在所有程序拷贝完成后使程序跳转到SDRAM中运行。也就是说在启动方式为NandFlash启动的情况下，因为Nand Flash的特性，程序需要涉及到两次的搬移【复制】，一次是从NandFlash搬移到SRAM【芯片自动完成】，搬运的程序量大小是4K，目的是使系统能够启动；第二次搬运是从NandFlash搬运到系统的SDRAM【软件代码完成】，搬运的程序量大小是系统的所有程序，目的是使程序在SDRAM中运行。第一次搬运是S3C2440通过硬件机制自动实现的，我们无需干预，第二次则需要我们程序员来实现，详见NANDFLASH 控制器部分内容！