6T-sram存储单元原理分析
来源:互联网 发布:php验证码源码 编辑:程序博客网 时间:2024/05/22 00:37
6T指的是其由6个mosfet构成。
M1-M4是存储单元,而M5-M6用于门控访问。
可以看出M1-M2 和 M3-M4是一个对称的结构,这是两个反相门的循环链接,由两个反相门循环相连的存储单元存在两种稳定状态,0和1。
使用WL来控制存储单元的门控访问,BL来进行存储单元的读写。
读:拉高WL,从BL中读出位即可
写:拉高WL,拉高或者拉低BL,由于BL的驱动能力比存储单元强,会强制覆盖原来的状态。
1 0
- 6T-sram存储单元原理分析
- T-SQL存储过程 原理
- SDRAM SRAM 工作原理
- FastDFS合并存储原理分析
- FastDFS合并存储原理分析
- 汇编:存储单元
- 存储器之存储单元
- 1.6存储单元
- 1.6存储单元
- 存储单元的存储方式
- 发声单元的原理
- SRAM
- SRAM
- SRAM
- SRAM
- SRAM
- SRAM
- sram
- 瀑布流在Angularjs中的使用
- 【SPOJ QTREE】树链剖分模板
- POJ3761 Bubble Sort
- UVA10288 Coupons
- C#中图片.BYTE[]和base64string的转换
- 6T-sram存储单元原理分析
- redis简介
- c++判断当前系统及编译器
- Haproxy解析
- 状态压缩讲解
- netty的心跳检测实现
- 实模式和保护模式区别及寻址方式
- redis使用规范
- LeetCode_DP_Word Break II