Nand ECC学习

 Nand ECC校验和纠错原理及2.6.27内核ECC代码分析.pdf    samsung_ecc_algorithm_for_256b.pdf    samsung_ecc_algorithm_for_512b.pdf  

内核代码已经实现了256Byte/3Byte和512Byte/3Byte ECC算法，现在芯片定义要搞204Byte/nByte，还不知道算法怎样实现。

Google下找过Samsung的两个官方文档：
samsung_ecc_algorithm_for_256b.pdf samsung_ecc_algorithm_for_512b.pdf
看完有后感觉有些细节实现地方还没描述出来。

再看一下内核源码:http://lxr.linux.no/#linux+v2.6.21/drivers/mtd/nand/nand_ecc.c
基本搞明白流程了，但行极性生成还是有点困惑。

最后在找wwxbei在uc上发表的[原创]Nand ECC校验和纠错原理及2.6.27内核ECC代码分析
读完后有种豁然开朗感觉，thanks wwxbei!

归纳起来：
nand flash读写可能会出现个别bit错误，通过ECC算法纠正1bit错误、检测错2bit错误。
3bit以上的错误ECC算法就管不了了。纠正1bit错误方法自然是找到哪一行、哪一列。
以256Byte/22bit为例。将256Byte数据看成一个256行8列的bit矩阵，256行用8bit、8列用3bit，一共要11bit来定位某一个bit在矩阵中的位置。ECC算法总每一个行列位置实际用到是一对可以表示极性的数据来，因此ECC数据量是11bit * 2 = 22bit。
同理512Byte/24bit，12bit * 2 = 24bit。