polycide,silicide,salicide三者区别
来源:互联网 发布:vb窗体滚动条 编辑:程序博客网 时间:2024/06/03 13:54
Polysilicon--silicon with randomly orientated grains where each grain is made up ofcrystalline silicon.
silicide--acompound of metal and silicon. Silicides may be easily formed by thermallyreacting a variety of metal with silicon and are widely used as contacts tosilicon and conductors.
SelfAligned Silicide --a silicide process where an oxide or nitride layer withopening down to silicon is used to allow silicide to only form in selectedareas.
在次微米技术中,为了克服所谓热载子(Hot-Carrier)问题而发展出LDD(Lightly-DopedDrain)制程与结构; 为了降低CMOS组件漏极(drain)与源极(source)的寄生电阻(sheetresistance)Rs 与 Rd,而发展出Silicide制程; 为了降低 CMOS组件闸级的寄生电阻 Rg,而发展出Polycide 制程 在更进步的制程中把Silicide与 Polycide 一起制造,而发展出所谓Salicide制程。
polycide:降低栅极电阻
silicide:降低源漏电阻
salicide:既能降低栅极电阻,又能降低源漏电阻
首先,这三个名词对应的应用应该是一样的,都是利用硅化物来降低POLY上的连接电阻。但生成的工艺是不一样的,具体怎么用单独的中文区分,现在我也还没看到相应资料,就暂且沿用英文的了。 其中,
SILICIDE就是金属硅化物,是由金属和硅经过物理-化学反应形成的一种化合态,其导电特性介于金属和硅之间,而POLYCIDE和SALICIDE则是分别指对着不同的形成SILICIDE的工艺流程,下面对这两个流程的区别简述如下:
POLYCIDE: 其一般制造过程是,栅氧化层完成以后,继续在其上面生长多晶硅(POLY-SI),然后在POLY上继续生长金属硅化物(silicide),其一般为 WSi2(硅化钨)和TiSi2 (硅化钛)薄膜,然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其他工序,完成整个芯片制造。
SALICIDE:它的生成比较复杂,先是完成栅刻蚀及源漏注入以后,以溅射的方式在POLY上淀积一层金属层(一般为Ti,Co或Ni),然后进行第一次快速升温煺火处理(RT
A),使多晶硅表面和淀积的金属发生反应,形成金属硅化物。根据煺火温度设定,使得其他绝缘层(Nitride 或Oxide)上的淀积金属不能跟绝缘层反应产生不希望的硅化物,因此是一种自对准的过程。然后再用一中选择性强的湿法刻蚀(NH4OH/H2O2/H20或H2SO4/H2O2的混合液)清除不需要的金属淀积层,留下栅极及其他需要做硅化物的salicide。另外,还可以经过多次煺火形成更低阻值的硅化物连接。
跟POLYCIDE不同的是,SALICIDE可以同时形成有源区S/D接触的硅化物,降低其接触孔的欧姆电阻,在深亚微米器件中,减少由于尺寸降低带来的相对接触电阻的提升。另外,在制作高值POLY电阻的时候,必须专门有一层来避免在POLY上形成SALICIDE,否则电阻值就上不了。
SAB指的是salicideblock
Salicide中文翻译过来就叫硅化物,其实是比较薄的一层金属和多晶的合金体,其主要目的是在多晶硅或者diffusion表面相对比较薄的一层上面生长出一层(或者是淀积)金属-硅的硅化物,目的是降低多晶上的电阻率。
SAB层用来阻止sailicide的生成,从而得到阻值较高的diffusion或者poly。常用在poly电阻,diffusion电阻,ESDdevice的Drain端,提高其电阻和耐压。
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