flash性质

• 页page（4K）→块block（通常64个page组成一个block，有的是128个）→面band（多个blcok组成）→die（band就是一个die）→闪存片（多个die组成）→SSD（多颗闪存片组成）
  
• 每次写操作之前，都要先擦除：erase-before-write。
• NAND flash读和写的最小单位是page，擦除的最小单位是block。
• 写放大（write amplification）：实际实际写入的数据，比请求的数据多。写放大的根源是垃圾回收GC。
• SSD：flash based SSD，PCM based SSD
• 读、写、擦除的速度不对称。读最快，写其次，擦除最慢。
• 无法就地更新in-place update，因为写之前要进行擦除操作。
• 不能随机写page，要顺序的写。